Analisa Pengaruh Doping Boron Terhadap Sifat Kapasitif Material Graphene untuk Aplikasi Superkapasitor

Abstract

Media penyimpanan energi listrik merupakan salah satu material yang perlu dikembangkan di era ini. Salah satu media penyimpanan listrik adalah electric double layer capasitor (EDLC). Graphene adalah material karbon berlapis tunggal yang memiliki sifat-sifat unggul dalam aplikasi EDLC karena konduktifitas listrik dan luas permukaan aktif yang tinggi. Pendopingan graphene dengan boron diharapkan mampu meningkatkan konduktifitas listrik dengan mekanisme penambahan jumlah hole, sehingga penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh pendopingan boron pada graphene terhadap sifat kelistrikannya dan struktur graphene. Metode hummer yang dimodifikasi diikuti dengan proses hydrothermal digunakan untuk mensintesis reduced graphene oxide (rGO). Penelitian ini menggunakan larutan asam borik H3BO3 1M sebagai media pendoping arom boron dengan variasi penambahan 1 ml, 2 ml, 3 ml. Material yang disintesis dikarakterisasi dengan menggunakan XRD, SEM-EDX, FTIR, FPP, dan CV. Sifat kapasitif elektroda diukur dengan melakukan uji CV dengan rentang scan rate 5, 10, 50 dan 100 mV/s. Hasil Penelitian ini menunjukan bahwa doping boron berhasil meningkatkan kapasitansi spesifik dari 164.2 F/g sebelum didoping menjadi 192.5 F/g setelah didoping boron 4.37 at% dengan larutan Na2SO4 1M pada scan rate 5 mV/s